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IGBT模塊散熱器的應(yīng)用 IGBT散熱器裝置①散熱器應(yīng)根據(jù)用于環(huán)境及模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇，以保證模塊工作時(shí)對(duì)散熱器的要求。②散熱器表面的光潔度應(yīng)小于10mm，每個(gè)螺絲之間的平面扭曲小于10mm。散熱器表面如有凹陷，會(huì)導(dǎo)致接觸熱阻的增加。...發(fā)布時(shí)間：2016-05-16 點(diǎn)擊次數(shù)：905 次
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可控硅的測(cè)量方法介紹 鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P...發(fā)布時(shí)間：2016-05-09 點(diǎn)擊次數(shù)：914 次
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IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展 IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過(guò)程 1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。 散熱環(huán)節(jié)影響散熱程度影響因數(shù)解決辦法 1...發(fā)布時(shí)間：2016-05-05 點(diǎn)擊次數(shù)：768 次
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ABB可控硅結(jié)構(gòu) ABB可控硅結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a）〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極...發(fā)布時(shí)間：2016-04-14 點(diǎn)擊次數(shù)：850 次
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IGBT模塊應(yīng)用指南 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，...發(fā)布時(shí)間：2016-04-09 點(diǎn)擊次數(shù)：763 次
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FERRAZ熔斷器的注意事項(xiàng) FERRAZ熔斷器使用維修：1、熔體熔斷時(shí)，要認(rèn)真分析熔斷的原因，可能的原因有： 1）短路故障或過(guò)載運(yùn)行而正常熔斷； 2）熔體使用時(shí)間過(guò)久，熔體因受氧化或運(yùn)行中溫度高，使熔體特性變化而誤斷； 3）熔體安裝...發(fā)布時(shí)間：2016-04-05 點(diǎn)擊次數(shù)：784 次
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IGBT模塊散熱器選擇及使用原則 IGBT模塊散熱器選擇及使用原則一、散熱器選擇的基本原則1，散熱器選擇的基本依據(jù)IGBT模塊散熱器選擇要綜合根據(jù)器件的耗散功率、器件結(jié)殼熱阻、接觸熱阻以及冷卻介質(zhì)溫度來(lái)考慮。2，器件與散熱器緊固力的要求要使器件...發(fā)布時(shí)間：2016-03-28 點(diǎn)擊次數(shù)：1100 次
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IGBT模塊使用中要注意的點(diǎn) 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾...發(fā)布時(shí)間：2016-03-18 點(diǎn)擊次數(shù)：944 次
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變頻器IGBT模塊故障維修實(shí)況 變頻器IGBT模塊故障維修過(guò)程(1)首先更換損壞器件。將3μf/1200v電容更換后，再將隔離開(kāi)關(guān)合上，給控制柜送電，控制柜沒(méi)反應(yīng)，電源燈不亮，電壓表沒(méi)有指示。(2)輸入端接有高壓熔斷器，懷疑是它損壞了。用萬(wàn)用...發(fā)布時(shí)間：2016-03-14 點(diǎn)擊次數(shù)：1096 次
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IXYS可控硅單向晶閘管的工作特性 IXYS可控硅單向晶閘管的特性，可以用以下幾個(gè)主要參數(shù)來(lái)表征。①額定平均電流IT:在規(guī)定的條件下，晶閘管允許通過(guò)的50Hz正弦波電流的平均值。②正向轉(zhuǎn)折電壓VBo:是指在額定結(jié)溫及控制極開(kāi)路的條件下，在陽(yáng)極和...發(fā)布時(shí)間：2016-03-09 點(diǎn)擊次數(shù)：869 次
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可控硅的用途介紹 可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱(chēng)為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中...發(fā)布時(shí)間：2016-03-07 點(diǎn)擊次數(shù)：948 次
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IGBT模塊散熱器都分為哪幾種優(yōu)勢(shì) IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載...發(fā)布時(shí)間：2016-03-01 點(diǎn)擊次數(shù)：795 次
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IXYS可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多 IXYS可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多 (IXYS可控硅)可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等. 可控硅的弱...發(fā)布時(shí)間：2016-02-26 點(diǎn)擊次數(shù)：830 次
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IXYS可控硅有多種分類(lèi)方法 （一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：IXYS可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類(lèi)：...發(fā)布時(shí)間：2016-02-22 點(diǎn)擊次數(shù)：804 次
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IGBT模塊的簡(jiǎn)介 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高...發(fā)布時(shí)間：2016-02-16 點(diǎn)擊次數(shù)：722 次
